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親眼見證創(chuàng)新！ 4200A-SCS-PK3參數(shù)分析儀是一種可以量身定制、全面集成 的參數(shù)分析儀，可以同步查看電流電壓(I-V)、電容電壓(C-V) 和超快速脈沖式I-V 特性。作為性能最高的參數(shù)分析儀， 4200A-SCS 加快了半導(dǎo)體、材料和工藝開發(fā)速度。
4200A-SCS ClariusTM 基于GUI 的軟件提供了清楚的、不折不 扣的測(cè)量和分析功能。憑借嵌入式測(cè)量專業(yè)知識(shí)和數(shù)百項(xiàng)隨時(shí) 可以投入使用的應(yīng)用測(cè)試，Clarius Software 可以更深入地挖掘 研究過程，快速而又滿懷信心。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀可以根據(jù)不同用戶需求進(jìn)行靈活配 置，不管是現(xiàn)在還是未來，都可以隨時(shí)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)。通過 4200A-SCS 參數(shù)分析儀，通往發(fā)現(xiàn)之路現(xiàn)在變得異常簡(jiǎn)便。
4200A-SCS-PK3參數(shù)分析儀
4200A-SCS 儀器和模塊
| 型號(hào) | 說明 | 主要測(cè)量 | 范圍 | 測(cè)量分辨率 |
| 4200-SMU | 中等功率源測(cè)量單元 | DC I-V 超低頻率 C-V 準(zhǔn)靜態(tài) C-V | ±100 mA, ±210 V | 0.2 mV, 100 fA |
| 4210-SMU | 高功率源測(cè)量單元 | ±1 A, ±210 V | 0.2 mV, 100 fA | |
| 4200-PA | 遠(yuǎn)程前端放大器模塊 | 擴(kuò)展所有 SMU 的電流范圍 | 0.2 mV, 10 aA | |
| 1 kHz - 10 MHz | ||||
| 4210-CVU | 電容電壓?jiǎn)卧?/td> | AC 阻抗 C-V, C-f, C-t | ±30 V 內(nèi)置DC 偏置裝置(60 V 差分) 使用 SMU 擴(kuò)展直流偏置電壓至 | - |
| ±210V | ||||
| 4200A-CVIV | I-V/C-V 多通道 開關(guān)模塊 | DC I-V 和 C-V 自動(dòng)切換 | - | - |
| 脈沖式 I-V SegmentARBR® 多電平脈沖 瞬態(tài)波形捕獲 | ±40 V (80 V p-p), ±800 mA 200 MSa/s 同時(shí)測(cè)量電流和電壓 | |||
| 4225-PMU | 超快速脈沖測(cè)量單元 | 2048 個(gè)唯YI段 | 75 nA | |
| 20 ns 脈寬僅輸出時(shí) | ||||
| 60 ns 脈寬輸出同時(shí)測(cè)流時(shí) | ||||
| 4225-RPM | 遠(yuǎn)程前段放大器 / 開關(guān)模塊 | DC I-V、C-V、脈沖式 I-V 間自動(dòng)切換 | 擴(kuò)展 4225-PMU 單元的電流范圍 | 200 pA |
| 4220-PGU | 高壓脈沖發(fā)生器單元 | 脈沖式電壓源 Segment ARB® 多電平脈沖 | ±40 V (80 Vp-p) 2048 個(gè)唯YI段 | - |
| 接地單元 | 內(nèi)置低噪聲接地單元 | - | 三同軸連接 : 2.6 A 接線柱 : 9.5 A | - |
提取或測(cè)量參數(shù)列表實(shí)例
| CMOS 晶體管 | Id-Vg, Id-Vd, Ig-Vg, Vth, Vtlin, Sub-Vt, Rds-on, breakdown, capacitance, QSCV, Low-frequency CV, self-heating reduction and more |
| BJT | Ic-Vc, Vcsat, Gummel plot, capacitance, βF, αF |
| 非易失性存儲(chǔ)器 | Vth, endurance test, capacitance |
| 納米尺寸器件 | Resistance, Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc |
| 分立元器件 | Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, Vfdiode, Vrdiode, capacitance |
| 材料 | Van der Pauw, 4-point collinear resistivity, Hall Effect |
| 光伏器件 | Iforward, Ireverse, HiR, LoR |
| 功率器件 | Pulsed Id-Vg, pulsed Id-Vd, breakdown |
| 可靠性 | NBTI/PBTI, charge pumping, hot carrier injection, V-Ramp, J-Ramp, TDDB |